**后续焦点** 目前可以确认的是，长鑫存储已正式在美国联邦法院提起诉讼，要求推翻美国国防部的相关认定；
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查看关系证据 ↗中国存储芯片企业长鑫存储技术有限公司（ChangXin Memory Technologies，CXMT）已在美国联邦法院起诉美国国防部，要求撤销其被列入“中国军工企业”名单的决定。
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长鑫第五代DRAM量产：合肥国资押注十年后，一家芯片企业进入美国军企审查核心
长鑫第五代DRAM量产背后，是合肥国资十年押注、国家产业政策和美国军企审查三条线的交汇。地方政府关联投资者仍持股约36.8%，美国国防部则将其列入1260H清单，长鑫已提起诉讼反驳。
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9月18日产业消息显示，以DRAM为主业的长鑫存储正推进NAND闪存布局。NAND广泛用于固态硬盘、手机和数据中心，跨入这一领域意味着新的工艺、设备、人才与客户验证体系。美国持续收紧先进芯片出口限制之际，北京正以产业基金和政策资源推动半导体自主；项目能否真正改变市场，仍取决于技术路线、良率、成本、实
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当全球芯片进入High-NA时代：中国“国产替代”仍被卡在光刻技术断层
ASML的High-NA EUV正进入全球先进芯片厂商导入阶段，而中国国产浸没式DUV才开始早期生产。北京确实取得设备国产化进展，但在EUV、High-NA、量产可靠性和产业链协同上仍存在明显代际差。中共“自主可控”宣传掩盖的，不是有没有国产设备，而是全球技术前沿仍在更快向前移动。
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工厂增长25.6%，零售只增0.6%：合肥样板暴露中国“制造繁荣、居民谨慎”的经济断层
合肥上半年经济增长6.8%，工业产出增25.6%、出口增51.9%，零售却仅增0.6%。高科技产业在国资推动下高速扩张，却未能同步转化为居民消费和服务业繁荣，“合肥模式”正暴露中国供给强、内需弱和地方重复投资的结构性矛盾。
观点评论
评论｜长鑫存储传出HBM小规模量产突破 中国AI芯片“卡脖子”正在转向存储环节
路透援引The Information称，长鑫存储已开始小规模生产先进高带宽存储器。HBM是AI加速器关键配套，但“小规模生产”并不等于中国厂商已经追平国际龙头。
法治追踪
长鑫存储起诉美国国防部 要求撤销“中国军工企业”认定
长鑫存储已在美国哥伦比亚特区联邦地区法院起诉美国国防部，要求撤销其“中国军工企业”认定。法院案卷显示案件于8月28日提交，目前尚未进入实体裁判。